8 (812) 320-06-69

Каталог

Категории
Высшее образование (16+) (44671)
Высшее образование
Естественные науки (2770)
Естественные науки
Общественные науки (3854)
Общественные науки
Информатика и компьютерные технологии (4975)
Информатика и компьютерные технологии
Инженерное дело (1487)
Инженерное дело
Телекоммуникации, электроника, электротехника и радиотехника (1412)
Телекоммуникации, электроника, электротехника и радиотехника
Строительство. Архитектура (819)
Строительство. Архитектура
Строительство. Архитектура. Журналы (17)
Строительство. Архитектура. Журналы
Бетон и железобетон (3)
Бетон и железобетон
Жилищное строительство (7)
Жилищное строительство
Строительные материалы (7)
Строительные материалы
Юридические науки.Право (4557)
Юридические науки.Право
Отрасли права (2870)
Отрасли права
Гуманитарные науки (6444)
Гуманитарные науки
Иностранные языки (2420)
Иностранные языки
Экономика. Экономические науки (7774)
Экономика. Экономические науки
Образование. Педагогические науки (4112)
Образование. Педагогические науки
Медицина и здравоохранение (993)
Медицина и здравоохранение
Физическая культура и спорт (510)
Физическая культура и спорт
Среднее профессиональное образование (14+) (3312)
Среднее профессиональное образование
Коллекции (48316)
Коллекции
Издательские коллекции (47897)
Издательские коллекции
Журналы (1146)
Журналы
Остаться в выбранном разделе
Назад к каталогу

Физические основы микро- и наноэлектроники: учебное пособие. - 2-е изд., стер.

Физические основы микро- и наноэлектроники: учебное пособие. - 2-е изд., стер. ISBN 978-5-9765-5060-5
ISBN 978-5-9765-5060-5
Авторы: 
Дурнаков А. А.
Тип издания: 
Учебное пособие
Издательство: 
Москва: Флинта
Год: 
2022
Количество страниц: 
248
Аннотация

Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ковалентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние p-n перехода, токи в нем, виды пробоев, туннелирование в сильнолегированных p-n переходах, гетеропереходы, вольтамперные характеристики переходов. В конце пособия приводятся практические и домашние задания.

Библиографическое описание Скопировать библиографическое описание

Дурнаков А. А. Физические основы микро- и наноэлектроники: учебное пособие. - 2-е изд., стер. / А.А. Дурнаков. - Москва : Флинта, 2022. - 248 с. - ISBN 978-5-9765-5060-5. - URL: http://m.ibooks.ru/bookshelf/385618/reading (дата обращения: 18.07.2025). - Текст: электронный.