8 (812) 320-06-69

Каталог

Категории
Высшее образование (16+) (45099)
Высшее образование
Естественные науки (2781)
Естественные науки
Общественные науки (3966)
Общественные науки
Информатика и компьютерные технологии (4986)
Информатика и компьютерные технологии
Инженерное дело (1487)
Инженерное дело
Телекоммуникации, электроника, электротехника и радиотехника (1412)
Телекоммуникации, электроника, электротехника и радиотехника
Строительство. Архитектура (819)
Строительство. Архитектура
Строительство. Архитектура. Журналы (17)
Строительство. Архитектура. Журналы
Бетон и железобетон (3)
Бетон и железобетон
Жилищное строительство (7)
Жилищное строительство
Строительные материалы (7)
Строительные материалы
Юридические науки.Право (4595)
Юридические науки.Право
Отрасли права (2892)
Отрасли права
Гуманитарные науки (6467)
Гуманитарные науки
Иностранные языки (2430)
Иностранные языки
Экономика. Экономические науки (7959)
Экономика. Экономические науки
Образование. Педагогические науки (4139)
Образование. Педагогические науки
Медицина и здравоохранение (994)
Медицина и здравоохранение
Физическая культура и спорт (518)
Физическая культура и спорт
Среднее профессиональное образование (14+) (3380)
Среднее профессиональное образование
Коллекции (49348)
Коллекции
Издательские коллекции (48929)
Издательские коллекции
Проспект (3133)
Проспект
Журналы (1146)
Журналы
Остаться в выбранном разделе
Назад к каталогу

Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учеб. пособие

Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учеб. пособие ISBN 978-5-7782-3369-0
ISBN 978-5-7782-3369-0
Авторы: 
Данилов В.С., Раков Ю.Н.
Тип издания: 
Учебное пособие
Издательство: 
Новосибирск: Новосибирский государственный технический университет
Год: 
2017
Количество страниц: 
418
Аннотация

В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.

Библиографическое описание Скопировать библиографическое описание

Данилов В.С. Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов : учеб. пособие / В.С. Данилов, Ю.Н. Раков. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2017. - 418 с. - ISBN 978-5-7782-3369-0. - URL: http://m.ibooks.ru/bookshelf/367642/reading (дата обращения: 27.07.2025). - Текст: электронный.